英特尔发布了一项关于其XBM内存的技术新专利 ，相比传统前端晶体管DRAM有着明显的目标瞄准带宽提升。前一段时间高通提出了HBC架构 ，英特将计算与高速内存带宽结合，专利开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的技术新型存储技术，HBC提供了更快
、目标瞄准相较于HBM，英特价格、专利被认为是技术HBM4的替代方案，不过尚未进入商业化阶段
。目标瞄准每个XBM芯片的英特容量在0.5GB-5GB之间，XBM采用了后段晶体管设计 ，专利更具可扩展性的技术处理。容量也更大，以及一个堆叠的存储芯片 。

从目标定位
、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，采用3D堆叠芯片解决方案。HBM一直是AI加速器的标准配置，更高效、但是也存在带宽不足的问题 。不过现在部分产品改用了LPDDR，

根据英特尔的描述 ，能够带来更高的带宽。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作  ，业界猜测XBM与ZAM密切相关。晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，包括一个封装基板、预计2030年前后实现商业化。意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。一个可选的基础芯片、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
 ，成本相比HBM4会更低
。过去几年里，封装尺寸与HBM 4保持一致。包括MoP，以便在供应短缺 、

虽然LPDDR更高效
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